薄膜的介電性能測試方法

薄膜介電常數(shù)以及介電損耗的測試：

本文中所制備的薄膜在蒸鍍鋁電極后采用航天縱橫ZJD-C型介電常數(shù)儀器，測試其等效電容以及損耗頻譜，頻率范圍為 100KHz-5MHz，分別取樣點(diǎn)為100 KHz，200 KHz，400 KHz，800 KHz，1MHz，2 MHz，3 MHz，4 MHz，5 MHz；根據(jù)式（2-2）算得相應(yīng)的介電常數(shù)，其中薄膜的厚度采用數(shù)顯千分尺測得，電極為方形，測量蒸鍍電極的邊長便可求的電極面積，需要注意的是此電極面積是薄膜上下兩個(gè)背電極的重疊面積。 

薄膜擊穿電壓的測試 :

本論文中所制備的薄膜均采用中航時(shí)代生產(chǎn)的ZJC-5KV耐壓測試儀測試其擊穿電壓；由于薄膜的擊穿電壓隨薄膜質(zhì)量好壞的變化很明顯，即便是在同一條件下制得的薄膜不同區(qū)域的擊穿電場都會(huì)有所不同 ，因此選定薄膜的 5 個(gè)不同區(qū)域，分別測試并求其平均值近似作為此薄膜的擊穿電壓，通過式將得到的擊穿電壓除以相應(yīng)區(qū)域薄膜的厚度即可得到對應(yīng)薄膜的擊穿電場；耐壓測試儀最高電壓可達(dá)到 8000V，升壓速率設(shè)定為 50V/s。 

本文主要介紹了通過溶液流延法制備純 PVDF 薄膜以及 PVDF/BaTiO3復(fù)合薄膜的具體工藝流程及相關(guān)實(shí)驗(yàn)參數(shù)，最后簡要介紹了本文中所要用到的薄膜介電性能測試方法及其具體參數(shù)設(shè)置。