電壓試驗(yàn)中的假擊穿現(xiàn)象是指在高電壓施加過程中，試品未發(fā)生實(shí)質(zhì)性絕緣破壞，但測試系統(tǒng)因非絕緣失效因素誤判為擊穿的現(xiàn)象。此類現(xiàn)象多由測試環(huán)境干擾、試品表面特性或測試系統(tǒng)自身缺陷引起，可能導(dǎo)致試驗(yàn)結(jié)論誤判，需結(jié)合多維度分析進(jìn)行甄別。

假擊穿的產(chǎn)生機(jī)理主要包括以下方面：首先，測試系統(tǒng)存在局部放電干擾，例如電極接觸不良、試品表面污染或受潮時(shí)，會(huì)在電場集中區(qū)域產(chǎn)生重復(fù)性表面放電，形成脈沖電流信號，其幅值與波形特征易被誤判為擊穿；其次，電磁兼容性問題（如空間電磁干擾、接地環(huán)路感應(yīng)電流）會(huì)引入高頻噪聲，導(dǎo)致測量回路出現(xiàn)異常信號躍變；此外，試品內(nèi)部氣隙或分層結(jié)構(gòu)在電場作用下可能發(fā)生局部電離，產(chǎn)生瞬時(shí)導(dǎo)電通道，但未形成貫穿性破壞路徑。值得注意的是，某些高分子材料在高壓下發(fā)生極化電流突變或介質(zhì)損耗激增時(shí)，也可能引發(fā)誤判。

與真擊穿相比，假擊穿具有可逆性與非破壞性特征。真擊穿通常伴隨不可逆的絕緣結(jié)構(gòu)損傷，擊穿點(diǎn)呈現(xiàn)碳化通道或熔融痕跡，擊穿后絕緣電阻顯著下降且無法恢復(fù)；而假擊穿后試品電氣性能可自行恢復(fù)，重復(fù)試驗(yàn)時(shí)擊穿電壓無明顯規(guī)律性偏移。從信號特征分析，真擊穿電流波形呈指數(shù)衰減且持續(xù)時(shí)間較長（>100μs），而假擊穿多為持續(xù)時(shí)間短（<10μs）的離散脈沖群，且脈沖幅值分布具有隨機(jī)性。

為有效抑制假擊穿干擾，需采取綜合措施：①優(yōu)化測試環(huán)境，控制相對濕度≤40%，清潔試品表面并預(yù)干燥處理；②采用屏蔽室與雙屏蔽電纜，在測量回路增設(shè)RC濾波網(wǎng)絡(luò)；③選用陡前沿抑制型高壓電極，通過倒角設(shè)計(jì)降低表面場強(qiáng)；④實(shí)施多參數(shù)同步監(jiān)測，結(jié)合局部放電譜圖、電流諧波分量及紅外熱成像進(jìn)行聯(lián)合診斷。對于復(fù)合絕緣材料，建議采用階梯升壓法并延長耐壓時(shí)間，以區(qū)分瞬時(shí)放電與真實(shí)擊穿。通過上述技術(shù)手段，可顯著提高電壓試驗(yàn)結(jié)果的有效性，為絕緣性能評估提供可靠依據(jù)。